電磁脈沖防護理論與技術
HEMP/LEMP的產生與危害：
核爆以一種獨特的方式與地球磁場和大氣相互作用，從而產生電磁脈沖（EMP）；在目標區域產生強大的電磁脈沖沖擊波，電場強度從1000V/m ～10^5V/m不等，具有高電壓、高場強、頻譜寬、范圍廣的特點，通過強大的輻射耦合效應，或者通過各類線纜進入電子、電氣設備，對設備內部的半導體組件構成強大的損毀效應。
西北核技術研究所崔志同等利用PCI試驗方法研究了電磁脈沖對集成半導體器件的損傷閾值，獲得了閾值的概率分布函數，最小損傷閥值為15A，同時，幾個安培的脈沖電流即可引發敏感性問題。按照場隨時間變化的關系，電磁脈沖由三個部分構成，分別定義為：E1、E2、E3。電磁脈沖濾波器的用途：在E1、E2階段，對分配電接口的后續用電設備提供電磁脈沖防護。
電磁脈沖的頻譜特征：
LEMP雷電電磁脈沖屬于雷電二次效應，在GJB8848(MIL-STD-464)標準中均有明確考核要求，其主要特點是：上升沿較寬，頻譜主要分布在0~10MHz以內，頻譜分布較HEMP簡單，更容易防護。
HEMP在地表附近傳播時，大致為一個平面波。時域波形為一個雙指數波形，它的數學表達式為一個基于常數e的指數函數。根據行業的工程數據，在目標區域的功率頻譜分布大致如下圖所示 。
電磁脈沖的耦合機理：
EUT/SUT所接收的電磁脈沖干擾，主要取決于場源和空間耦合。 如果我們把核爆簡單的看作是一副發射天線，則目標區域的場強與天線的發射功率，方向圖，極化特性，效率，增益，距離等密切關聯。同時，也與EUT/SUT和所在空間場的耦合系數密不可分。耦合系數主要受以下條件制約：EUT/SUT的幾何形狀，線纜的分布，搭接狀況，電磁場暴露程度等。??????
系統/設備級線纜電磁脈沖解決方案：
